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J-GLOBAL ID：201402274243828842   整理番号：14A1039910

炭化ケイ素電力MOSFET:900Vから15kVへ上昇する絶縁破壊特性

Silicon Carbide Power MOSFETs: Breakthrough Performance from 900V up to 15kV

著者 (12件)： PALMOUR J.W. (Cree, Inc., NC, USA) ,  CHENG L. (Cree, Inc., NC, USA) ,  PALA V. (Cree, Inc., NC, USA) ,  BRUNT E.V. (Cree, Inc., NC, USA) ,  LICHTENWALNER D.J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  WANG G-Y (Cree, Inc., NC, USA) ,  RICHMOND J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  O’LOUGHLIN M. (Cree, Inc., NC, USA) ,  RYU S. (Cree, Inc., NC, USA) ,  ALLEN S.T. (Cree, Inc., NC, USA) ,  BURK A.A. (Cree, Inc., NC, USA) ,  SCOZZIE C. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 26th  ページ： 79-82  発行年： 2014年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  電力トランジスタ ,  *MOSFET ,  *絶縁破壊 ,  六方晶系 ,  オン抵抗 ,  *最適設計 ,  電圧 ,  ターンオフ ,  HF【周波数】 ,  高電圧 ,  スイッチング損失 ,  MOS構造 ,  絶縁破壊電圧 ,  DMOSFET ,  DMOS構造
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  特定オン抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化ケイ素 ,  電力MOSFET ,  絶縁 ,  破壊特性