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J-GLOBAL ID：201402275667552649   整理番号：14A0907358

配位子交換を通じた硫化鉛量子ドット薄膜におけるエネルギー準位改変

Energy Level Modification in Lead Sulfide Quantum Dot Thin Films through Ligand Exchange

著者 (7件)： BROWN Patrick R. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  KIM Donghun (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  LUNT Richard R. (Michigan State Univ., Michigan, USA) ,  ZHAO Ni (Chinese Univ. Hong Kong, HKG) ,  BAWENDI Moungi G. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  GROSSMAN Jeffrey C. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  BULOVIC Vladimir (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 8  号： 6  ページ： 5863-5872  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド量子ドット(QD)は,独特なチューナビリティを持っている。QDサイズを制御する合成法によって,バンドギャップが0.7~2.1eVの強く閉じ込められた硫化鉛(PbS)QDを作製することができる。このギャップ値は理想的な太陽電池応用に適した値である。結合したコロイドQDの電気的性質も,配位子交換を通じたQDの表面化学改質を通じて実現できる。様々な配位子化学が,今までで最高の光起電性能を持つPbS QDに対して試されている。ここでは,紫外光電子分光分析により12種の異なる配位子を使って処理したPbS QDのエネルギー準位変化を調べた。測定された価電子帯の最大値は0.9eVにおよんだ。真空エネルギーシフトのシミュレーションによって,観測されたエネルギー準位改変を再現した。これらのエネルギー準位シフトが光起電性能に与える影響を,実際の素子で確かめた。

シソーラス用語： 配位子交換 ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  *エネルギー準位 ,  閉込め ,  光電子分光法 ,  密度汎関数法 ,  太陽電池 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 紫外光電子分光

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 配位子交換 ,  硫化鉛 ,  量子ドット ,  薄膜 ,  エネルギー準位 ,  改変