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J-GLOBAL ID：201402278106012105   整理番号：14A0253607

高密度プラズマエッチしたHfO₂薄膜に及ぼす表面化学反応

Surface Chemical Reaction on HfO₂ Thin Film Etched by High Density Plasma

著者 (4件)： KANG Pil-Seung (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  WOO Jong-Chang (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  JOO Young-Hee (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Chang-Il (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 454  ページ： 627-634  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *絶縁膜 ,  *酸化ハフニウム ,  誘導結合プラズマ ,  *選択腐食 ,  二酸化ケイ素 ,  加工速度 ,  電圧 ,  イオン衝突 ,  化学結合 ,  反応生成物 ,  *プラズマエッチング ,  化学反応
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  バイアス電圧 ,  酸素結合 ,  表面化学反応

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高密度プラズマ ,  エッチ ,  HfO2 ,  薄膜 ,  表面化学反応