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J-GLOBAL ID：201402278385981210   整理番号：14A0855105

シリコンIGBTと比較して改善されたSiC MOSFETの電熱的耐久性

Improved Electrothermal Ruggedness in SiC MOSFETs Compared With Silicon IGBTs

著者 (6件)： ALEXAKIS Petros (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  ALATISE Olayiwola (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  HU Ji (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  JAHDI Saeed (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  RAN Li (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  MAWBY Philip A. (Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 61  号： 7  ページ： 2278-2286  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.2kV/25A SiC MOSFETと1.2kV/30A シリコンIGFETのアバランシェモードにおける寄生バイポーララッチアップを,-25°C~125°Cの範囲の環境温度で調べた。SiC MOSFETは定格電流が低くても電熱的に頑健であり,高温のサージに耐えることが分かった。SiCデバイスは低温では定格を40%超えるアバランシェ電流に耐えられるが,高温では耐えられない。IGFETは定格の16%を超えるアバランシェ電流に耐えることが出来ない。SiC MOSFETは125°Cまでなら定格電流値を耐えることが出来る。高温で寄生BJTのラッチングが加速する理由を説明する電熱モデルを開発し,結果を有限要素モデルで確認した。実験による最大動作温度を理論計算と比較すると,SiCデバイスはSiの約3倍の温度に耐えることができる。

シソーラス用語： 耐久性 ,  炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  IGBT ,  定格 ,  降伏 ,  バイポーラトランジスタ ,  解析モデル ,  *耐熱性 ,  等価回路
準シソーラス用語： BJT ,  *SiC ,  アバランシェ降伏 ,  寄生素子 ,  有限要素モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  IGBT ,  SiC ,  MOSFET ,  電熱