Schottky障壁改良によってMoS<sub>2</sub>-グラフェンヘテロ構造におけるオン-オフ電流比と電界効果移動度を調節する

SHIH Chih-Jen; WANG Qing Hua; SON Youngwoo; JIN Zhong; BLANKSCHTEIN Daniel; STRANO Michael S.

文献

J-GLOBAL ID：201402279507256348 整理番号：14A0907351

Schottky障壁改良によってMoS₂-グラフェンヘテロ構造におけるオン-オフ電流比と電界効果移動度を調節する

Tuning On-Off Current Ratio and Field-Effect Mobility in a MoS₂-Graphene Heterostructure via Schottky Barrier Modulation

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資料名：
巻： 8 号： 6 ページ： 5790-5798 発行年： 2014年06月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MoS₂-グラフェンヘテロ構造における電荷移動,フォトルミネセンス(PL)およびゲート制御電子輸送を調べた。伝導性AFMとラマン分光法を用いてこのヘテロ構造を調べ,二つの原子材料の間にかなりの電荷移動があることを示した。単分子層MoS₂とグラフェンのヘテロ構造に対するPL強度は単分子層MoS₂だけのPL強度と比較して約20%クエンチされている。MoS₂-グラフェンヘテロ構造に基づいたFET素子を作製し,その輸送特性を調べた。負のゲートバイアス下で,原子的Schottky障壁の形成のために強い層間インピーダンスが存在し,そのためグラフェンの正孔輸送は部分的にあるいは完全に欠失している。種々のドレインバイアス下では,NMOSデジタルから双極性特性への制御可能な転移を可能にする新しいタイプのFET素子を示した。NMOSデジタル様式では,オン-オフ電流比を室温でグラフェンの電界効果移動度を犠牲にすることなく~100程度の高くまで調節できる。

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 炭素とその化合物

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Schottky障壁改良によってMoS2-グラフェンヘテロ構造におけるオン-オフ電流比と電界効果移動度を調節する

Schottky障壁改良によってMoS₂-グラフェンヘテロ構造におけるオン-オフ電流比と電界効果移動度を調節する