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J-GLOBAL ID：201402282477939403   整理番号：14A0156476

異なるアルキル鎖長を有するポリ(3-アルキルチオフェン)に基づく高性能なトップゲート型電界効果トランジスタ

High performance top-gate field-effect transistors based on poly(3-alkylthiophenes) with different alkyl chain lengths

著者 (7件)： TAKAGI Kenichiro (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  NAGASE Takashi (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  NAGASE Takashi (The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (Dep. of Physics and Electronics, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (The Res. Inst. for Molecular Electronic Devices, Osaka Prefecture Univ., Sakai 599-8531, JPN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 15  号： 2  ページ： 372-377  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるアルキル鎖長を有する典型的なポリマー半導体の位置規則性ポリ(3-アルキルチオフェン)(P3AT)に基づいたトップゲート型電界効果トランジスタ(FET)デバイスの特性を調べた。異なる誘電率(2.1~3.9)の高分子ゲート絶縁膜を用いた場合でさえ,アルキル鎖長によらず,~10^-2cm²/Vsの高い電界効果移動度が得られた。これは,トップゲートFETのチャネル領域であるP3AT薄膜の表面での高秩序のエッジオン型ラメラ構造の自発的形成に起因する。さらに,異なるゲート絶縁膜を含むトップゲートP3AT FETは,長時間のゲートバイアスストレスに繋がる<0.5Vの低閾値電圧シフトで,高い動作安定性を示したが,これは水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタに匹敵する。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *高分子半導体 ,  誘電体薄膜 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  *ポリアルキルチオフェン ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  *層状組織 ,  電圧 ,  閾値 ,  安定性 ,  ゲート絶縁膜 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： トップゲート構造 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  閾電圧

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： アルキル鎖 ,  トップゲート型 ,  電界効果トランジスタ