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J-GLOBAL ID：201402285374070424   整理番号：14A0455049

次世代高性能シリコンデバイス製造に向けた新規プロセスの研究開発(平成24年度)

著者 (3件)： 福田永 (室蘭工大) ,  植杉克弘 (室蘭工大) ,  城尚志 (帝人 融合技研)
資料名： 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
号： 24  ページ： 4-6  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： L5514A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 帝人(株)が開発したシリコンナノ粒子を用いて,高品質で信頼性の高いシリコン薄膜を製造し,それをTFTに適用し特性を評価した。まず,CO₂レーザー熱分解法によって作製したシリコンナノ粒子の特徴として,粒径制御が可能,かつ不純物ドーピングが可能なことなどを述べた。製造では,まずシリコンナノ粒子を有機溶媒に溶かし,インク状およびペースト状の材料を合成した。次に,シリコンインクを基板に塗布し,レーザーパルスを表面に照射してシリコン薄膜を形成した。次に,リンをドープしたシリコン粒子およびホウ素をドープしたシリコン粒子をシリコンインクに混ぜることにより,不純物濃度分布が均一な導電性のシリコン薄膜が得られることから,導電性薄膜を堆積させて薄膜トランジスタを作製した。作製した薄膜トランジスタの出力特性の解析の結果,従来のポリシリコン薄膜トランジスタの性能に匹敵する8cm²/Vsのキャリア移動度が得られた。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  有機溶媒 ,  薄膜成長 ,  *ナノ粒子 ,  ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  キャリア移動度 ,  パルスレーザ照射 ,  半導体プロセス ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  *シリコンナノ粒子 ,  *シリコン薄膜

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (1件)：

• Y. Ikeda, T. Imamura, Y. Tomizawa and T. Shiro, “ Novel Materials for Printed Electronics”, Abstract of the 21^st Int. Display Workshop, Niigata, 2013.

タイトルに関連する用語 (6件)： 次世代 ,  高性能 ,  シリコンデバイス ,  プロセス ,  研究 ,  開発