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J-GLOBAL ID：201402285952781282   整理番号：14A0414773

SrFeO_3-x薄膜の電場によって誘起される抵抗スイッチング動作の詳細な解析

Detailed analyses of electric field-induced resistance switching behavior of SrFeO_3-x film

著者 (3件)： YOKOTA Takeshi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KITO Shinya (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  GOMI Manabu (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2S  ページ： 02BC17.1-02BC17.5  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリー材料として期待されるSrFeO_3-x薄膜に関する電場誘起の抵抗変化を研究した。SrFeO_3-x薄膜試料を固体反応によって合成し,その特性をx線回折によって評価した。次に,ピコアンメーターとLCRメーターによって,電流-電圧特性(I-V)と静電容量-電圧特性(C-V)を測定した。I-V曲線はヒステリシスと明確なパルススイッチング特性を示すことが分かった。パルス幅が1μsで,10Vの電圧下において,パルススイッチ動作を示すことが分かった。C-V測定および電圧の緩和時間解析から,抵抗スイッチング特性は酸素の移動と電荷注入プロセスの双方に起因することが分かった。研究結果から,格子間酸素の制御が,スイッチング速度やスイッチング比に関して非常に重要であることが分かった。これらの特性に基づいて,磁気状態も電場の印加によって変更できることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチング ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  鉄酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  *不揮発性メモリ ,  *薄膜 ,  *電場効果 ,  電気抵抗 ,  固相合成 ,  X線回折 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  キャリア注入 ,  化学反応 ,  物質移動
準シソーラス用語： 酸素移動 ,  *抵抗スイッチング ,  電荷注入

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (32件)：

• S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
• A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000).
• Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
• S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
• Z. B. Yan, K. F. Wang, S. Z. Li, S. J. Luo, and J.-M. Liu, Appl. Phys. Lett. 95, 143502 (2009).

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  電場 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  解析