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J-GLOBAL ID：201402286355478591   整理番号：14A1448880

シングルポリ埋め込みフラッシュメモリディスターバンス,プログラム/消去速度,耐久性,リテンション特性の比較研究

A Comparative Study of Single-Poly Embedded Flash Memory Disturbance, Program/Erase Speed, Endurance, and Retention Characteristic

著者 (4件)： SONG Seung-Hwan (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  SONG Seung-Hwan (HGST, CA, USA) ,  KIM Jongyeon (Univ. Minnesota, MN, USA) ,  KIM Chris H. (Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 61  号： 11  ページ： 3737-3743  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルポリ埋め込みフラッシュ(eFlash)は普通のロジック技術で作れる埋め込み不揮発性メモリ(eNVM)である。コスト効率が良く中間密度のeNVMとしていくつかのシングルポリeFlashセルが提案されているが,最適セル構造は未だ議論の内である。5nmのトンネル酸化膜の標準2.5V I/Oトランジスタを使った65nmロジックプロセスで製作した二つのeFlashテストチップから得た実験データと,シミュレーションに基づいた様々なシングルポリeFlashメモリ構造をディスターバンス,プログラム/消去速度,耐久性,リテンション特性の観点で比較した。結論は,自己ブースティングをサポートする二つの付加パストランジスタにpMOS結合デバイス,NCAPトンネリングデバイス,nMOS読み出し/プログラムデバイスを結合させた5T eFlashセル構造がロジック適合eNVMとして最も適した選択である。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  集積回路メモリ ,  不揮発性メモリ ,  *セル構造 ,  シミュレーション ,  研究 ,  耐久性 ,  保持時間 ,  トンネル効果 ,  バンド構造 ,  *埋込みメモリ ,  エネルギー帯
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  トンネリング ,  リテンションタイム ,  *比較研究

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋め込み ,  消去 ,  研究