文献

J-GLOBAL ID：201402286363493273   整理番号：14A0425912

塩化水素ガスによる珪素エッチングにおける負荷効果の起源とエッチング制限過程

Etching-limiting process and origin of loading effects in silicon etching with hydrogen chloride gas

著者 (3件)： MORIOKA Naoya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 1  ページ： 016502.1-016502.7  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧におけるHCl/H₂による低速Siエッチングにおけるエッチング制限段階を調べた。温度1000~1100°C,10nm/分以下の低速でエッチングを行った。裸のSiエッチングでは,エッチング速度の温度依存性は殆ど無く,熱化学分析から計算したエッチング副産物SiCl₂の平衡圧力に比例した。また,Si(100)と(110)面のエッチング速度はほぼ同じであった。SiO₂マスクパターンによるSi表面のエッチングでは,強い負荷効果(エッチング速度のマスク/開口パターン依存性)が観測された。Si表面の直ぐ上の気体種の拡散は負荷効果がSiCl₂のパターンに依存する拡散に起因することを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 塩化水素 ,  *エッチング ,  *加工速度 ,  電子顕微鏡観察 ,  水素 ,  濃度依存性 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  深さプロフィル ,  効果 ,  *ケイ素 ,  圧力効果
準シソーラス用語： *エッチング速度 ,  圧力依存性 ,  気体拡散 ,  表面形態 ,  負荷効果

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• V. Destefanis, J. M. Hartmann, S. Borel, and D. Bensahel, Semicond. Sci. Technol. 23, 105019 (2008).
• A. Y. Hikavyy, R. Rooyackers, P. Verheyen, F. Leys, G. Vellianitis, M. J. Van Dal, R. Lander, and R. Loo, ECS Trans. 13, 329 (2008).
• R. Loo, M. Caymax, P. Meunier-Beillard, I. Peytier, F. Holsteyns, S. Kubicek, P. Verheyen, R. Lindsay, and O. Richard, Appl. Surf. Sci. 224, 63 (2004).
• C. Isheden, H. H. Radamson, E. Suvar, P.-E. Hellström, and M. Östling, J. Electrochem. Soc. 151, C365 (2004).
• T. Ueno, H. S. Rhee, S. H. Lee, H. Lee, D. S. Shin, Y. Jin, S. Maeda, and N. Lee, Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Pap., 2005, p. 24.

タイトルに関連する用語 (6件)： 塩化水素ガス ,  珪素 ,  エッチング ,  起源 ,  制限 ,  過程