HCl系Siエッチとそれに続くRPCVDにおけるBドープSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>の選択的エピタクシーによる浅い接合の作製

ISHEDEN C; RADAMSON H H; SUVAR E; HELLSTROEM P-E; OESTLING M

文献

J-GLOBAL ID：200902259879093479 整理番号：04A0489871

HCl系Siエッチとそれに続くRPCVDにおけるBドープSi_1-xGe_xの選択的エピタクシーによる浅い接合の作製

Formation of Shallow Junctions by HCl-Based Si Etch Followed by Selective Epitaxy of B-Doped Si_1-xGe_x in RPCVD

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=04A0489871&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0489871&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 151 号： 6 ページ： C365-C368 発行年： 2004年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

イオン注入法によってはもはや達成できないと考えられる浅いソー...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0489871&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

固-固界面 , 無機化合物一般及び元素 , トランジスタ

, , , , , ,

前のページに戻る

HCl系Siエッチとそれに続くRPCVDにおけるBドープSi1-xGexの選択的エピタクシーによる浅い接合の作製

HCl系Siエッチとそれに続くRPCVDにおけるBドープSi_1-xGe_xの選択的エピタクシーによる浅い接合の作製