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J-GLOBAL ID:201402287711608175   整理番号:14A1152357

積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化

Testability Improvement for 12.8 GB/s Wide IO DRAM Controller by Small Area Pre-bonding TSV Tests and a 1 GHz Sampled Fully Digital Noise Monitor
著者 (8件):
資料名:
巻: 114  号: 175(ICD2014 31-52)  ページ: 17-21  発行年: 2014年07月28日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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我々は,シリコン貫通ビア(TSV)技術を用いたWide IO DRAMコントローラチップを開発した。ファインピッチに配列されたTSVの間に配置された小型IOの内部に専用テスト回路を設けることで,チップ積層前にTSV接続不良を排除可能とした。また,512ビットのDQによる同時スイッチングノイズによるVminの悪化を改善するために,フルデジタルノイズモニタを用いたパッケージ-ボードのインピーダンス最適化の手法を提案する。本開発で我々は12.8GB/sでの動作と,LPDDR3と比較して89%の電力削減を達成した。(著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
引用文献 (8件):

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