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J-GLOBAL ID：201402289080000431   整理番号：14A0511845

原子動力学モンテカルロアプローチを用いたフィン構造中のドーパント拡散及び欠陥の解析

Analysis of Dopant Diffusion and Defects in Fin structure using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach

著者 (8件)： NODA T. (Panasonic Corp., Toyama, JPN) ,  KAMBHAM A.K. (IMEC, Leuven, BEL) ,  KAMBHAM A.K. (K.U. Leuven, Leuven) ,  VRANCKEN C. (IMEC, Leuven, BEL) ,  THEAN A. (IMEC, Leuven, BEL) ,  HORIGUCHI N. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST W. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST W. (K.U. Leuven, Leuven)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 140-143  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパント注入損傷は,極薄ボディフィンにおけるドーパント保持と欠陥に影響を与えることが知られている。ここでは,原子論的格子動力学モンテカルロ(LKMC)アプローチを用いて,フィン構造中のドーパント拡散と欠陥を解析する。動力学モンテカルロ(KMC)シミュレーションを原子プローブ断層撮影(APT)の3D方法論と比較する。3Dフィン構造におけるドーパント原子の分布を示す。KMCシミュレーションから,ドーパント注入温度はアモルファス化に影響を与え,残留欠陥及びドーパント-欠陥複合体が,固相エピタキシャル再成長(SPER)後に,フィンの上部と端部に形成されることが分かる。

シソーラス用語： *ドーパント ,  *拡散 ,  *欠陥 ,  フィン ,  原子 ,  動力学 ,  モンテカルロ法 ,  三次元 ,  トモグラフィー ,  プローブ ,  イオン注入 ,  アモルファス化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： モンテカルロアプローチ ,  フィン ,  ドーパント ,  拡散 ,  欠陥 ,  解析