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J-GLOBAL ID：201402291956641108   整理番号：14A0984374

ナノ構造改質表面を用いた超薄膜水素ガスセンサ

Ultrathin-film hydrogen gas sensor with nanostructurally modified surface

著者 (4件)： TSUKADA Keiji (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  TAKEICHI Shuzo (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  SAKAI Kenji (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KIWA Toshihiko (Okayama Univ., Okayama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 7  ページ： 076701.1-076701.4  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で水素ガスに曝したときのガラス基板上のPt薄膜の電気抵抗変化を調べた。効果は膜圧が40nm以下に対してのみ検出でき,厚さが減るにしたがって増大した。Pt膜とガラス基板間に接着層としてのTi膜を挿入した試料も作製した。Ti膜は水素ガスとは反応しないが,それが並列抵抗として働くために,その存在により抵抗変化効果が減少した。この問題を克服するために,より大きな抵抗変化比をもたらす多孔質SiO₂を使ってガラス基板表面をナノ構造的に改質した。回復時間を改善するために,パルス電流注入による加熱を行った。Pt(5nm)/Ti(3nm)/多孔質SiO₂/ガラスからなる構造は,室温で水素濃度約100ppmまでに対して明瞭な応答を示すことを見いだした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  表面改質 ,  超薄膜 ,  気体 ,  *水素 ,  *ガスセンサ ,  金属薄膜 ,  電気抵抗 ,  水素ガス

分類 (1件)： 物理分析一般  (CC03011F)

引用文献 (32件)：

• T. Hübert, L. Boon-Brett, G. Black, and U. Banach, Sens. Actuators B 157, 329 (2011).
• G. Korotcenkov, S. D. Han, and J. R. Stetter, Chem. Rev. 109, 1402 (2009).
• X. Chen, C. K. Y. Wong, S. A. Yuan, and G. Zhang, Sens. Actuators B 177, 178 (2013).
• I. Lundström, S. Shivaraman, C. Svensson, and L. Lundkvist, Appl. Phys. Lett. 26, 55 (1975).
• K. Scharnagl, A. Karthingeyan, M. Burgmair, M. Zimmer, T. Doll, and I. Eisele, Sens. Actuators B 80, 163 (2001).

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  改質 ,  超薄膜 ,  水素ガス