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J-GLOBAL ID：201402294126011852   整理番号：14A1134696

電流制御型液相成長法による大気圧下でのc面GaNの成長

著者 (6件)： 神林大介 (名城大 理工) ,  菱田武重 (名城大 大学院理工学研究科) ,  冨田将史 (名城大 理工) ,  高倉宏幸 (名城大 理工) ,  丸山隆浩 (名城大 理工) ,  成塚重弥 (名城大 理工)
資料名： 名城大学総合研究所総合学術研究論文集  (Journal of Research Institute of Meijo University)
号： 12  ページ： 99-104  発行年： 2013年03月31日 
JST資料番号： L5724A  ISSN： 1347-6149  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アンモニアとGa-Ge混合溶液を使用した電流制御型液相成長をおこなったところ,常圧でNaを用いない条件でも,c面GaNテンプレート基板上に良好なGaNが成長した。電流値4Aでの成長速度は,およそ1.85μm/hとなり,電流を流さない従来方式の約4.6倍の成長速度が得られた。成長のメカニズムを検討するため,成長膜厚の電流値依存性,溶液厚さ依存性,電極形状依存性などを調べた。これらの実験結果はすべて,エレクトロマイグレーションが成長原料の輸送を促進すること,すなわち,成長速度の向上に貢献することを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *エレクトロマイグレーション ,  *溶液成長 ,  *薄膜成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電流制御 ,  ホモエピタクシー ,  成長速度 ,  依存性 ,  電極
準シソーラス用語： 電流依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電流制御 ,  液相成長 ,  大気圧 ,  GaN ,  成長