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J-GLOBAL ID：201402294483795209   整理番号：14A0511832

Si上へのIII-Vナノワイヤの集積:高性能縦型FETから急勾配スイッチへ

Integration of III-V nanowires on Si: From high-performance vertical FET to steep-slope switch

著者 (6件)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  YOSHIMURA Masatoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAKAI Eiji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  ISHIZAKA Fumiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 88-91  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のIII-Vナノワイヤのヘテロ集積に関する最近の進歩について報告し,このIII-Vナノワイヤを用いた縦型MOSFETを実証した。III-V/Siヘテロ接合を用いた急峻サブ閾値勾配(SS)スイッチに関する最近の課題も議論する。このFETは,サラウンディングゲートとEOTが1nm未満の高誘電体膜を持ち,変調ドーピングが行われている。急峻SSスイッチは,低電力回路のためのビルディングブロックとして用いられる。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *化合物半導体 ,  ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  スイッチ ,  縦型 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ナノワイヤ ,  集積 ,  高性能 ,  縦型 ,  FET ,  急勾配