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J-GLOBAL ID：201402294654043812   整理番号：14A1224934

BTI誘起デバイスパラメータ劣化とスケーリング金属ゲート/高k CMOS技術の変動との関係

Correlation of BTI induced device parameter degradation and variation in scaled Metal Gate/High-k CMOS technologies

著者 (2件)： KERBER A. (GLOBALFOUNDRIES Inc., NY, USA) ,  NIGAM T. (GLOBALFOUNDRIES Inc., CA, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2014 Vol.2  ページ： 598-603  発行年： 2014年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不安定性 ,  *SRAM ,  *MOS構造 ,  バイアス ,  劣化 ,  スケーリング【計数】 ,  ゲート【半導体】 ,  変動 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： BTI

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： BTI ,  誘起 ,  パラメータ ,  スケーリング ,  金属ゲート ,  CMOS技術