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J-GLOBAL ID：201402295524253277   整理番号：14A0568137

ドナー-アクセプタのドーピングによるヘテロ構造に基づく高出力電界効果トランジスタの開発に対する展望

Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping

著者 (7件)： LUKASHIN V. M. (Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS) ,  PASHKOVSKII A. B. (Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS) ,  ZHURAVLEV K. S. (Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  TOROPOV A. I. (Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  LAPIN V. G. (Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS) ,  GOLANT E. I. (Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS) ,  KAPRALOVA A. A. (Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 48  号： 5  ページ： 666-674  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポテンシャル障壁を付加した量子井戸を有するGaAsヘテロ構造に基づく高出力電界効果トランジスタの開発について述べた。これは,異なるドーピング型の層から形成され,横方向の空間電子輸送を低減し,量子閉じ込めを増強する。台形ゲート長が0.4~0.5μmで,全ゲート幅が0.8mmのトランジスタは,10GHzの連続モード動作で,出力が倍増する。比出力が1.6W/mm以上では,利得は9.5dBを超え,出力付加効率が50%に達する。このようなデバイスの開発を展望した。Copyright 2014 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  ドーピング ,  量子井戸 ,  ポテンシャル障壁 ,  ゲート【半導体】 ,  利得 ,  出力 ,  SHF【周波数】 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  高出力

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドナー ,  アクセプタ ,  ドーピング ,  ヘテロ構造 ,  高出力 ,  電界効果トランジスタ ,  開発 ,  展望