LUKASHIN V. M. について
Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS について
PASHKOVSKII A. B. について
Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS について
ZHURAVLEV K. S. について
Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS について
TOROPOV A. I. について
Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUS について
LAPIN V. G. について
Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS について
GOLANT E. I. について
Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS について
KAPRALOVA A. A. について
Scientific and Production Corp. “Istok”, 141195, Moscow oblast, Fryazino, RUS について
Semiconductors について
FET【トランジスタ】 について
素子構造 について
ヘテロ接合 について
ドーピング について
量子井戸 について
ポテンシャル障壁 について
ゲート【半導体】 について
利得 について
出力 について
SHF【周波数】 について
ヒ化ガリウム について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
ヘテロ構造 について
高出力 について
トランジスタ について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
ドナー について
アクセプタ について
ドーピング について
ヘテロ構造 について
高出力 について
電界効果トランジスタ について
開発 について
展望 について