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J-GLOBAL ID：201402298416314463   整理番号：14A0487707

UVオゾン支援ゾルゲル法による電気的に安定な溶液プロセスアモルファス酸化物IZO薄膜トランジスタ

Electrically Stable, Solution-Processed Amorphous Oxide IZO Thin-Film Transistors Through a UV-Ozone Assisted Sol-Gel Approach

著者 (5件)： SINGH Thokchom Birendra (CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS) ,  JASIENIAK Jacek Jaroslaw (CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS) ,  DE OLIVEIRA TOZI Leonardo (CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS) ,  EASTON Christopher David (CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS) ,  BOWN Mark (CSIRO Materials Sci. and Engineering, VIC, AUS)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 61  号： 4  ページ： 1093-1100  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液プロセスアモルファスメタル酸化膜TFTで電子移動度を高め閾値電圧シフトを小さくする簡単な方法を記す。メタルアセチルアセテネートはTFTのInZnO(IZO)薄膜のデポジットに使われるゾルゲルプリカーサである。この従来からの方法にデポジション後のUVオゾン処理を加えて熱処理前のカーボン不純物を減らした。これによって以降の熱アニーリングでのメタル酸化物形成速度が速くなり,高移動度トランジスタに必要なプロセス温度を下げられた。UVオゾンプロセスを加えるとプロセス温度が300°C以下になり,オンオフ比が10⁶で30cm²/Vs以上の移動度が得られた。正バイアスストレス試験では,パシベーション層の無い溶液プロセスアモルファスTFTのどれよりも閾値電圧シフトは小さかった。

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  アクティブマトリックス ,  化合物半導体 ,  非晶質 ,  キャリア移動度 ,  均一性 ,  *ゾル-ゲル法 ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧変動 ,  オゾン処理 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： AMOLED ,  アモルファス ,  酸化物半導体 ,  電荷キャリア移動度 ,  電子移動度 ,  閾値電圧シフト

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： オゾン ,  支援 ,  ゾルゲル法 ,  溶液 ,  プロセス ,  アモルファス ,  酸化物 ,  薄膜トランジスタ