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J-GLOBAL ID：201402298616443101   整理番号：14A0837761

(211)p⁺-Si基板上にMOVPEで成長させた厚い単結晶CdTe層を用いた核放射線検出器の開発

Development of Nuclear Radiation Detectors by Use of Thick Single-Crystal CdTe Layers Grown on (211) p ⁺-Si Substrates by MOVPE

著者 (10件)： YASUDA K. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  NIRAULA M. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  WAJIMA Y. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  YAMASHITA H. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  TAKAI N. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Y. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  MATSUMOTO M. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  TSUKAMOTO Y. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  TSUKAMOTO Y. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN) ,  AGATA Y. (Nagoya Inst. of Technol., Graduate School of Engineering, Gokiso, Showa, 466-8555, Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 43  号： 8  ページ： 2860-2863  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p⁺-Si基板上にエピタクシー成長させた厚い単結晶CdTe層を用いた電子収集型画素アレイを開発した。n-CdTe/p-like CdTe/p⁺-Siヘテロ接合ダイオード構造を持つようなアレイを実現するために,p-like CdTe/p⁺-Siヘテロ界面における電荷輸送を検討した。この界面では正孔が寄与するOhm接触が生じている事を確認した。そこでp⁺-Si基板上にまず40μm厚のアンドープp-like CdTeを成長させ,次いで5μm厚のn-CdTe層を成長させることにより,単一素子検出器を作製した。ダイオード検出器の整流動作は良好で,²⁴¹Am線源からのγ線ピークを検出することにより,エネルギー分解能を検証した。以上の結果から,電子収集型アレイを作製するために本構造が使用可能であることを確認した。Copyright 2014 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *放射線検出器 ,  *MOCVD ,  ケイ素 ,  エピタクシー ,  画素 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  正孔 ,  エネルギー分解能 ,  Ohm接触 ,  電荷輸送
準シソーラス用語： *MOVPE ,  エピタクシー成長 ,  シリコン

分類 (3件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  成長 ,  単結晶 ,  核 ,  放射線検出器 ,  開発