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J-GLOBAL ID：201402298676716255   整理番号：14A0686753

AlドープしたZnO/酸化物半導体/熱酸化Cu₂Oシート構造をもつCu₂Oをベースにしたヘテロ接合太陽電池

Cu₂O-based heterojunction solar cells with an Al-doped ZnO/oxide semiconductor/thermally oxidized Cu₂O sheet structure

著者 (3件)： MINAMI Tadatsugu ,  MIYATA Toshihiro ,  NISHI Yuki
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 105  ページ： 206-217  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,AlドープしたZnO(AZO)/n型金属酸化物半導体/p型Cu₂Oハイブリッド型ヘテロ接合(HbH)太陽電池の現状と将来的開発について紹介した。この電池は,AZO透明電極とCu₂Oシートの間にn型酸化物半導体薄膜を挿入して作成した構造が特徴である。Cuシートの熱酸化で作成した多結晶p型Cu₂Oシートの表面安定化と,n型酸化物半導体層としての薄膜形成における低温低損傷堆積技術の開発により,光起電力特性の改善を実現した。このAZO/酸化物半導体/Cu₂O HbH太陽電池は,p型Cu₂O層の表面条件,従って,ヘテロ接合の界面の影響を強く受け,p型Cu₂Oとn型酸化物半導体層間の仕事関数の相違に起因する拡散ポテンシャルの影響は少ない。この太陽電池で,一層高い効率を実現するためには,ヘテロ接合の界面の改善,およびHbH太陽電池の直列抵抗の低減,と並列抵抗の増大が必要である。このCu₂Oをベースにした太陽電池で,パルスレーザ堆積(PLD)条件を変えて作成した様様なn型酸化物半導体薄膜を挿入して,その光起電力特性におよぼす影響を調べた。n型酸化物半導体層として,PLDにより室温堆積した非ドープZnOまたはGa₂O₃薄膜が適しているが,高抵抗率をもつ非晶質Ga₂O₃薄膜が,最適の酸化物と分かった。Ga₂O₃/Cu₂Oヘテロ接合で見られるように,界面の欠陥レベルの低下により,pn接合の改善が実現し,これにより界面での再結合が低下する。Cu₂Oシート上にGa₂O₃薄膜を堆積して作成したヘテロ接合太陽電池で,最大5.3%の変換効率を実現できた。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *酸化銅 ,  熱酸化 ,  半導体薄膜 ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  N型半導体 ,  透明電極 ,  *界面 ,  レーザ蒸着 ,  *酸化ガリウム ,  *非晶質半導体 ,  *エネルギー変換効率 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  ドープ ,  ZnO ,  酸化物半導体 ,  熱酸化 ,  Cu2O ,  シート構造 ,  ヘテロ接合太陽電池