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J-GLOBAL ID：201402299550060830   整理番号：14A1099028

InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察

著者 (4件)： 東條孝志 (阿南工高専) ,  東條孝志 (電通大) ,  山口浩一 (電通大) ,  塚本史郎 (阿南工高専)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-A20-6  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  層 ,  薄膜 ,  *表面ステップ ,  *量子ドット ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶成長 ,  島状構造 ,  MBE成長 ,  化合物半導体 ,  半導体成長
準シソーラス用語： 三次元構造 ,  濡れ層 ,  半導体結晶成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  近傍 ,  量子ドット ,  観察