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J-GLOBAL ID：201402299662615401   整理番号：14A0153466

TSSG法によるGd₂Si₂O₇:Ce単結晶の育成とその高温発光特性

Top-seeded solution growth of Gd₂Si₂O₇:Ce single crystals and their high temperature scintillation properties

著者 (6件)： 坪田陽一 (北大 大学院) ,  金子純一 (北大 大学院) ,  樋口幹雄 (北大 大学院) ,  東井宏平 (北大 大学院) ,  皆川萌 (北大 大学院) ,  石橋浩之 (日立化成工業)
資料名： Journal of Flux Growth  (Journal of Flux Growth)
巻： 8  号： 2  ページ： 94  発行年： 2013年12月06日 
JST資料番号： L7066A  ISSN： 1881-5316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *単結晶 ,  セリウム ,  酸化物 ,  ケイ素化合物 ,  ガドリニウム化合物 ,  特性 ,  *固体シンチレータ ,  発光 ,  *γ線検出 ,  シンチレーション ,  温度依存性 ,  高温 ,  *蛍光発光 ,  発光特性
準シソーラス用語： TSSG法

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSSG法 ,  Ce ,  単結晶の育成 ,  発光特性