特許

J-GLOBAL ID：201403000344077032

抵抗変化型不揮発性記憶素子とその製造方法

発明者： 二宮 健生 ,  高木 剛 ,  片山 幸治 ,  川島 良男
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-540124
特許番号：特許第5412012号
出願日： 2013年01月18日
要約：

【要約】 第1電極層(101)と、第2電極層(104)と、第1電極層(101)と第2電極層(104)との間に介在する第1の抵抗変化層(102)と、第2電極層(104)と、第1の抵抗変化層(102)との間に介在し、第1の抵抗変化層(102)よりも抵抗値の大きい第2の抵抗変化層(103)とを備え、第2の抵抗変化層(103)の主面に垂直な方向から見た場合に、第2の抵抗変化層(103)の輪郭(103a)は、第2電極層(104)及び第1の抵抗変化層(102)のいずれの輪郭よりも内側に位置しており、第2の抵抗変化層(103)の第1の抵抗変化層(102)と接する面の輪郭は、第1の抵抗変化層(102)の第2の抵抗変化層(103)と接する面の輪郭よりも内側に位置している。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1電極層と、 第2電極層と、 前記第1電極層と前記第2電極層との間に介在する第1の抵抗変化層と、 前記第1電極層及び前記第2電極層のいずれか一方の電極層と、前記第1の抵抗変化層との間に介在し、前記第1の抵抗変化層よりも抵抗値の大きい第2の抵抗変化層とを備え、 前記第2の抵抗変化層の主面に垂直な方向から見た場合に、 前記第2の抵抗変化層の輪郭は、前記一方の電極層及び前記第1の抵抗変化層のいずれの輪郭よりも内側に位置し、 前記第2の抵抗変化層の前記第1の抵抗変化層と接する側の面の輪郭は、前記第1の抵抗変化層の前記第2の抵抗変化層と接する側の面の輪郭よりも内側に位置している 抵抗変化型不揮発性記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-139529   出願人：株式会社東芝