特許

J-GLOBAL ID：201403000426814140

半導体装置およびその製造方法

発明者： 佐々木 遥 ,  高木 一考
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-195536
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053384
出願日： 2012年09月05日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】半導体素子の接合温度以上でも安定動作可能で、かつ熱抵抗の低減が容易な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子20と、実装部材50と、接合金属層と、を有する。前記半導体素子は、裏面に裏面金属層を有する。前記実装部材は、前記半導体素子の平面サイズよりも大きい平面サイズを有する凹部が設けられた配線層26を有する。前記接合金属層は、前記半導体素子の前記裏面金属層と前記凹部の少なくとも底面とを接合する。前記接合金属層は、Cu、Au、Ag、PdおよびPtからなる第1の群から選択された少なくとも1つの金属と、Sn、ZnおよびInからなる第2の群から選択された少なくとも1つの金属と、からなる固溶体を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

裏面に裏面金属層を有する半導体素子と、 前記半導体素子の平面サイズよりも大きい平面サイズを有する凹部が設けられた配線層を有する実装部材と、 前記半導体素子の前記裏面金属層と前記凹部の少なくとも底面とを接合する接合金属層であって、Cu、Au、Ag、PdおよびPtからなる第1の群から選択された少なくとも1つの金属と、Sn、ZnおよびInからなる第2の群から選択された少なくとも1つの金属と、からなる固溶体を含む接合金属層と、 を備えた半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (1件)：

H01L21/52 B

Fターム (6件)：

5F047AB03 ,  5F047BA06 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-263628   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 接合体、半導体装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-103984   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-205776   出願人：株式会社東芝