特許

J-GLOBAL ID：200903050426342521

接合体、半導体装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 利英 ,  松本 一高 ,  小松 出 ,  忠内 仁弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-103984
公開番号（公開出願番号）：特開2005-288458
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 高い濃度で鉛を含有しない接合材を用い、高温条件を経てもおいても良好な機械的強度を保持可能な接合体を提供することである。【解決手段】 本発明に係る接合体4は、第1金属被接合材1と、銅、金、銀、金とパラジウムを主成分とする金・パラジウム系合金、及び、銀とパラジウムを主成分とする銀・パラジウム系合金からなる群より選択される材料よりなる第2金属被接合材2を接合する接合層3を有しており、この接合層3においては、その断面微細構造に、第2金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相と錫相のうちの少なくとも一種の相と、第2金属被接合材構成元素と錫とを構成元素とする複数の粒状金属間化合物相とが存在することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1金属被接合材と、 銅、金、銀、金とパラジウムを主成分とする金・パラジウム系合金、及び、銀とパラジウムを主成分とする銀・パラジウム系合金からなる群より選択される第2金属被接合材と、 前記第1金属被接合材及び第2金属被接合材を接合し、その断面微細構造に、第2金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相と錫相のうちの少なくとも一種の相と、第2金属被接合材構成元素と錫とを構成元素とする複数の粒状金属間化合物相と、が存在する接合層とを備えることを特徴とする接合体。

IPC (5件)：

B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B32B15/01 ,  H01L21/52

FI (6件)：

B23K1/19 K ,  B23K1/19 Z ,  B23K1/00 330D ,  B23K35/26 310A ,  B32B15/01 K ,  H01L21/52 B

Fターム (24件)：

4F100AB01A ,  4F100AB01B ,  4F100AB01C ,  4F100AB17B ,  4F100AB17C ,  4F100AB21C ,  4F100AB24B ,  4F100AB24C ,  4F100AB25B ,  4F100AB25C ,  4F100AB31B ,  4F100AB31C ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100GB41 ,  4F100JK01 ,  4F100JK06 ,  5F047AA11 ,  5F047BA05 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BB03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• はんだ接合層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089141   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭50-023972
  
• 半田接合法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-266879   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及び半田による接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-323197   出願人：富士通株式会社
• 電極材料、半導体装置及び実装装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-317808   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-206235