特許
J-GLOBAL ID：201403000757733450

可変抵抗素子とその製造方法、及び、不揮発性半導体記憶装置

発明者：
井上 雄史

井上 雄史 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-172992
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033094
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：
【課題】 低電流・低電圧でフォーミング可能な可変抵抗素子を提供するとともに、かかる可変抵抗素子を備えた高集積の不揮発性メモリを実現する。【解決手段】 第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持された可変抵抗素子であって、底面において第2電極11が露出し、底面に近づくに従って開口面積が小さくなるように側壁面が傾斜した凹部17を有し、可変抵抗体13が、かかる凹部17の傾斜した側壁面18上を覆っている。可変抵抗体の上面が同様に凹部17の側壁面18上で傾斜しており、その傾斜した上面同士が凹部17内の1点で或いは1本の線で交差している。可変抵抗体13のかかる傾斜した上面を覆うように形成された第1電極12が、凹部17の底面に向かって突出する尖突部を有している。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持された可変抵抗素子であって、 前記可変抵抗素子は、フォーミング処理を施すことにより、前記両電極間の抵抗状態が前記フォーミング処理前の初期高抵抗状態から可変抵抗状態に変化し、 前記可変抵抗状態の前記可変抵抗素子の前記両電極間に電気的ストレスを与えることにより、前記両電極間の電気抵抗が二以上の異なる抵抗状態間で遷移し、当該遷移後の抵抗状態を情報の記憶に用いるものであり、 底面において前記第2電極が露出する凹部と、 前記凹部の底面に近づくに従って前記凹部の開口面積が小さくなるように、前記凹部の傾斜した側壁面を構成する絶縁膜と、を有し、 前記可変抵抗体が、前記凹部の前記傾斜した側壁面上を覆うように形成され、 前記可変抵抗体の上面が前記凹部の側壁面上で傾斜し、その傾斜した上面同士が前記凹部内の1点で或いは1本の線で交差し、 前記第1電極が、前記可変抵抗体の前記傾斜した上面上を覆い、前記凹部の底面に向かって突出する尖突部を有することを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (21件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR10 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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