特許
J-GLOBAL ID：200903074844691903
抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345733
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159760
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】 フォーミングが不要で低電圧高速動作が可能な抵抗変化型不揮発メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に下部電極101と上部電極104間に抵抗変化領域100を備え、両電極間への電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、抵抗変化領域100が少なくとも酸素を含む絶縁体102aと、絶縁体102aの一部を上部電極104側から下部電極101側にかけて貫通する1または複数の開口部102bと、上部電極104から下部電極101にかけて分断なく開口部102b内に形成された酸化還元可能な金属膜103aとを備えて構成され、開口部102bが、上部電極104側、下部電極101側または両電極間の途中に、開口の狭まっている狭窄部分を有し、金属膜103aを介して両電極間を流れる電流密度が前記狭窄部分で局所的に大きくなる電流狭窄構造を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、下部電極、上部電極、及び、前記両電極間に形成された電気抵抗が変化する抵抗変化領域を備え、前記両電極間への電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、
前記抵抗変化領域が、少なくとも酸素を含む絶縁体と、前記絶縁体の一部を前記上部電極側から前記下部電極側にかけて貫通する1または複数の開口部と、前記上部電極から前記下部電極にかけて分断なく前記開口部内に形成された酸化還元可能な金属膜とを備えて構成され、
前記開口部が、前記上部電極側、前記下部電極側または前記両電極間の途中に、開口の狭まっている狭窄部分を有し、前記金属膜を介して前記両電極間を流れる電流密度が前記狭窄部分で局所的に大きくなる電流狭窄構造が形成されていることを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA45
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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