特許
J-GLOBAL ID：201403000887738306

基板製造方法

発明者：
柴田 顕次

柴田 顕次 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田自動織機

株式会社豊田自動織機 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-145554
公開番号（公開出願番号）：特開2014-009115
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】SiC結晶基板を収率よく形成すること。【解決手段】基板層に挟まれた剥離層を備えるSiC結晶のインゴットを製造するインゴット製造工程を備える。また、インゴットの内部にレーザー光を照射し、剥離層を境界として、基板層を互いに分離する照射工程を備える。インゴット製造工程は、インゴットをチャンバー内に格納し、基板層および剥離層をエピタキシャル成長により下層から順に成長させる。剥離層を成長させている期間には、チャンバー内にSiC結晶のバンドギャップを狭くする窒素を含むガスが供給されている。基板層を成長させている期間には、チャンバー内に窒素を含まないガスが供給されている。照射工程で用いられるレーザー光の波長は、基板層のバンドギャップにより定まる吸収波長の上限よりも長く、剥離層のバンドギャップにより定まる吸収波長の上限よりも短い波長である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1の層に挟まれた第2の層を備えるSiC結晶のインゴットを製造するインゴット製造工程と、 前記第1の層および前記第2の層に対して略垂直な方向から前記インゴットの内部にレーザー光を照射し、前記インゴットにおける前記第2の層を境界として、前記第1の層を互いに分離する照射工程と、 を備え、 前記インゴット製造工程は、 前記インゴットを格納容器内に格納し、前記第1の層および前記第2の層をエピタキシャル成長により下層から順に成長させており、 前記第2の層を成長させている期間には、前記格納容器内にSiC結晶のバンドギャップを狭くする所定元素を含むガスが供給されており、 前記第1の層を成長させている期間には、前記格納容器内に前記所定元素を含まないガスが供給されており、 前記照射工程で用いられる前記レーザー光の波長は、前記第1の層のバンドギャップにより定まる吸収波長の上限よりも長く、前記第2の層のバンドギャップにより定まる吸収波長の上限よりも短い波長であることを特徴とする基板製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C30B33/04 ,  H01L21/205
Fターム (27件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077DB21 ,  4G077EB01 ,  4G077EF04 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA52 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK03 ,  5F045HA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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