特許

J-GLOBAL ID：201203061922167524

単結晶、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造、ウエハおよび製品

発明者： バウド,ロバート,ピー. ,  フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  レッドウィング,ジョアン,エム. ,  ティシュラー,マイケル,エー.
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221730
公開番号（公開出願番号）：特開2012-017259
出願日： 2011年10月06日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。【解決手段】相応する天然III-V族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、1時間に20μmを上回る成長速度で、III-V族窒化物材料を成長させることにより、III-V族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、1cmより大きい断面寸法、1mmを超える長さ、および1cm2あたり107未満欠陥の上面欠陥密度を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

マイクロエレクトロニクス・デバイス品質の(Al,Ga,In)Nボウル。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C30B 25/16 ,  H01L 33/32

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C30B25/16 ,  H01L33/00 186

Fターム (23件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64

引用特許：

出願人引用 (4件)

• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-195890   出願人：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063238   出願人：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社
• GaN基材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-353318   出願人：三菱電線工業株式会社

審査官引用 (3件)

• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-195890   出願人：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063238   出願人：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "Behavior of Threading Dislocations in SAG-GaN Grown by MOVPE"