規則化合金を含む薄膜およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-199609
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056624
出願日： 2012年09月11日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

【課題】低コストな基板を用いて原子が規則的に配列した規則化合金を含む薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】NiPMoおよびNiPWからなる群から選択された1つからなるめっき層を有する基体と、前記基体上に配置された規則化合金とを含むことを特徴とする薄膜である。基体上に、NiPMoおよびNiPWからなる群から選択されためっき層を形成する工程と、前記めっき層上に規則化合金を形成する工程とを含み、前記規則化合金を形成する直前の真空度が7.0×10-7Pa以下であり、かつ、前記規則化合金を形成する工程においてプロセスガスの不純物濃度が5ppb以下である、薄膜の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

NiPMoおよびNiPWからなる群から選択された1つからなるめっき層を有する基体と、前記基体上に配置された規則化合金とを含むことを特徴とする薄膜。

IPC (11件)：

G11B 5/73 , G11B 5/65 , G11B 5/851 , H01F 10/26 , H01F 10/16 , H01F 41/14 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 43/12 , H01L 43/10

FI (10件)：

G11B5/73 , G11B5/65 , G11B5/851 , H01F10/26 , H01F10/16 , H01F41/14 , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L43/10

Fターム (46件)：

4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD15 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119FF16 , 4M119JJ01 , 5D006BB05 , 5D006BB07 , 5D006CB04 , 5D006DA03 , 5D006DA08 , 5D006EA03 , 5D112AA02 , 5D112AA05 , 5D112AA24 , 5D112BA06 , 5D112BB02 , 5D112BB05 , 5D112BB06 , 5D112EE01 , 5D112FA04 , 5D112FB19 , 5D112FB20 , 5D112GB01 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049CB10 , 5E049DB02 , 5E049GC01 , 5E049KC04 , 5F092AA11 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB23 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092CA01

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