特許
J-GLOBAL ID:201403002584201566

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 濱田 百合子 ,  本多 弘徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-025711
公開番号(公開出願番号):特開2014-154498
出願日: 2013年02月13日
公開日(公表日): 2014年08月25日
要約:
【課題】色素の光吸収を抑え、色彩性を損なわずに意匠性に優れるとともに高効率の光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体電極と、対向電極と、前記電極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記対向電極は、導電性基材の前記電解質層側の面に、3位及び4位に置換基を有するポリチオフェンにドーパントを導入した導電性高分子からなる触媒層を厚さ20nm〜20μmで形成してなり、前記電解質層がベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体をそれぞれ5〜100mM、アンモニウム塩を5〜200mM含有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体電極と、対向電極と、前記電極間に保持された電解質層とを備えた光電変換素子であって、 前記対向電極は、導電性基材の前記電解質層側の面に、3位及び4位に置換基を有するポリチオフェンにドーパントを導入した導電性高分子からなる触媒層を厚さ20nm〜20μmで形成してなり、 前記電解質層がベンゾキノン誘導体及びヒドロキノン誘導体をそれぞれ5〜100mM、アンモニウム塩を5〜200mM含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (19件):
5F151AA14 ,  5F151BA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE15 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH02 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 光電変換素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-243433   出願人:日本精工株式会社
  • 光電変換素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-014266   出願人:日本精工株式会社
  • 光電変換素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-115816   出願人:日本精工株式会社
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