特許

J-GLOBAL ID：201403002608715043

磁気トンネル接合素子および磁気メモリ

発明者： 秋山 了太
出願人/特許権者： 国立大学法人 筑波大学
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-107321
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229706
出願日： 2013年05月21日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】意図しない磁化反転を抑制し、かつ消費電力を抑制すること。【解決手段】本発明は、強磁性体を有する固定層14と、強磁性体を有する自由層18と、前記固定層14と前記自由層18との間に設けられたトンネル絶縁膜16と、前記自由層18に対し絶縁膜20を介し設けられた電極22と、を具備する磁気トンネル接合素子である。また、本発明は、磁気トンネル接合素子と、前記自由層18に磁場を印加する磁場印加部と、を具備する磁気メモリである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体を有する固定層と、 強磁性体を有する自由層と、 前記固定層と前記自由層との間に設けられたトンネル絶縁膜と、 前記自由層に対し絶縁膜を介し設けられた電極と、 を具備することを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 140

Fターム (20件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC09 ,  4M119DD02 ,  4M119DD17 ,  4M119KK09 ,  5F092AA04 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092BB04 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB55 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04