特許
J-GLOBAL ID：201403002726461030
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-232372
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027324
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：
【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置1では、絶縁板10aの第1の主面に金属箔10bが形成され、絶縁板10aの第2の主面に、少なくとも一つの金属箔10c,10dが形成される。また、金属箔10c,10d上に少なくとも一つの半導体素子20が接合され、半導体素子20が配置された絶縁板10aの主面に対向するようにプリント基板30が配置される。そして、プリント基板30に設けられたスルーホール30dに注入され、固定された複数のポスト電極30eにより、プリント基板30の第1の主面に形成された金属箔30bと、金属箔30bに対応するようにプリント基板30の第2の主面に形成された金属箔30cと、半導体素子20の主電極とが電気的に接続される。これにより、高信頼性で、優れた動作特性を有し、且つ高い生産性を有する半導体装置1が実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁板と、
前記絶縁板の第1の主面に形成された金属箔と、
前記絶縁板の第2の主面に形成された、少なくとも一つの別の金属箔と、
前記別の金属箔上に接合された少なくとも一つの半導体素子と、
前記半導体素子が配置された前記絶縁板の前記第2の主面に対向するように配置されたプリント基板と、
前記プリント基板の第1の主面に形成された金属箔と、前記プリント基板の第2の主面に形成された少なくとも一つの別の金属箔と、前記半導体素子の少なくとも一つの主電極とを電気的に接続するように、前記プリント基板に形成された、筒状めっき層が内壁に設けられたスルーホールの中途まで注入され固定された複数のポスト電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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