特許
J-GLOBAL ID:200903099479962288

半導体モジュールおよびその製造方法並びにスイッチング電源装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-015899
公開番号(公開出願番号):特開2004-228403
出願日: 2003年01月24日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】スイッチ素子のスイッチングによって生じるノイズの制御ICへの影響を回避し、スイッチング電源装置の小型化・薄型化を図る。【解決手段】パワー半導体素子5の裏面電極を絶縁基板4の導体パターン3に接続固定し、絶縁基板4に対向する位置に配置される配線基板8の絶縁基板4に対向する面に形成された配線パターン17とパワー半導体素子5の上面電極とを導電性ポスト20によって接続する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁基板と、前記絶縁基板に対向する位置に配置された配線基板と、前記絶縁基板の少なくとも前記配線基板に対向する面に形成された導体パターンと、該導体パターンに裏面電極が接続固定されたパワー半導体素子と、該パワー半導体素子の上面電極に接続固定され、前記配線基板の絶縁基板に対向する面に形成された配線パターンと接続された導電性ポストとを備えたことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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