特許
J-GLOBAL ID:201403002773696460
Si含有活物質層の製造方法、固体電池の製造方法、Si含有活物質層および固体電池
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
, 山本 典輝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-178226
公開番号(公開出願番号):特開2014-035987
出願日: 2012年08月10日
公開日(公表日): 2014年02月24日
要約:
【課題】本発明は、サイクル特性に優れた固体電池を得ることが可能なSi含有活物質層の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、Si含有活物質および固体電解質材料を含有する前駆体層と、対極層と、上記前駆体層および上記対極層の間に形成された固体電解質層とを有する電池部材を準備する準備工程と、上記電池部材に対して、積層方向に150kgf/cm2以上の拘束圧を印加した状態で、充放電処理を複数回行うことで、上記前駆体層からSi含有活物質層を形成する充放電処理工程と、を有することを特徴とするSi含有活物質層の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
Si含有活物質および固体電解質材料を含有する前駆体層と、対極層と、前記前駆体層および前記対極層の間に形成された固体電解質層とを有する電池部材を準備する準備工程と、
前記電池部材に対して、積層方向に150kgf/cm2以上の拘束圧を印加した状態で、充放電処理を複数回行うことで、前記前駆体層からSi含有活物質層を形成する充放電処理工程と、
を有することを特徴とするSi含有活物質層の製造方法。
IPC (7件):
H01M 4/139
, H01M 10/056
, H01M 4/62
, H01M 4/38
, H01M 4/48
, H01M 4/58
, H01M 10/058
FI (7件):
H01M4/1395
, H01M10/0562
, H01M4/62 Z
, H01M4/38 Z
, H01M4/48
, H01M4/58
, H01M10/0585
Fターム (25件):
5H029AJ05
, 5H029AK01
, 5H029AK03
, 5H029AL01
, 5H029AL02
, 5H029AL11
, 5H029AM11
, 5H029AM12
, 5H029BJ12
, 5H029CJ03
, 5H029CJ16
, 5H029HJ15
, 5H050AA07
, 5H050BA15
, 5H050CA01
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB01
, 5H050CB02
, 5H050CB11
, 5H050DA13
, 5H050FA02
, 5H050GA03
, 5H050GA18
, 5H050HA15
引用特許: