特許
J-GLOBAL ID：201403003746444170
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-020723
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154597
出願日： 2013年02月05日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】 優れた発光効率を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型層とp型層との間に活性層を有し、200〜300nmの発光波長を有する窒化物半導体発光素子であって前記n型層内の最小バンドギャップとなるn型第一層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するp型第一層をp型層内に設け、 前記活性層、および前記p型層を形成する層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する電子ブロック層を活性層とp型第一層との間に設けたことを特徴とする窒化物半導体発光素子である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
n型層とp型層との間に活性層を有し、200〜300nmの発光波長を有する窒化物半導体発光素子であって、
前記n型層、および前記p型層は、単一層、またはバンドギャップの異なる2層以上の複数層からなり、
前記p型層は、n型層内の最小バンドギャップとなるn型第一層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するp型第一層を備え、かつ
前記活性層、および前記p型層を形成する層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する電子ブロック層を、活性層とp型第一層との間に設けたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01S5/343 610
5F141AA03
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F173AA01
, 5F173AF12
, 5F173AF33
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AR23
, 5F173AR25
