電流狭窄型半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：杉村憲司 , 川原敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-190402
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231193
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

【課題】高発光効率を有する電流狭窄型半導体発光素子を提供する。【解決手段】第1導電型積層体、発光波長が200〜350nmの発光層、第2導電型積層体、電流狭窄層、第1開口を有する第1電極を順に具え、さらに、前記発光層の、前記第2導電型積層体側とは反対側に配設される第2電極を具える電流狭窄型半導体発光素子において、前記電流狭窄層は前記第2導電型積層体を露出する第2開口を有し、前記第2開口は前記第1開口と中心を同じくしてなり、前記第2開口の面積は前記第1開口の面積よりも大きく、前記第1電極の一部が前記第2導電型積層体と接し、かつ前記第1開口から前記第2導電型積層体の一部が露出するように配置され、前記第1導電型積層体の、前記発光層側とは反対側に、ピーク波長が200〜350nmの範囲に対し、高い反射率の反射面を具えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型積層体、発光波長が200〜350nmの発光層、第2導電型積層体、電流狭窄層、第1開口を有する第1電極を順に具え、さらに、前記発光層の、前記第2導電型積層体側とは反対側に配設される第2電極を具える電流狭窄型半導体発光素子において、前記電流狭窄層は前記第2導電型積層体を露出する第2開口を有し、前記第2開口は前記第1開口と中心を同じくしてなり、前記第2開口の面積は前記第1開口の面積よりも大きく、前記第1電極の一部が前記第2導電型積層体と接し、かつ前記第1開口から前記第2導電型積層体の一部が露出するように配置され、前記第1導電型積層体の、前記発光層側とは反対側に、ピーク波長が200〜350nmの範囲に対し、高い反射率の反射面を具えることを特徴とする電流狭窄型半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (10件)：

5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F141CA74 , 5F141CA77 , 5F141CB03 , 5F141CB04 , 5F141CB15

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体層の製造方法及び基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-185237 出願人：キヤノン株式会社
面発光型半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-162525 出願人：オムロン株式会社
特開平2-017683

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