特許
J-GLOBAL ID：201403004017234227

可視光応答性の半導体光電極の安定化方法及び該方法を用いた水分解反応装置

発明者：
佐山 和弘

佐山 和弘 について

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斉藤 里英

斉藤 里英 について

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ワン ニイニイ

ワン ニイニイ について

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三石 雄悟

三石 雄悟 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152505
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017080
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】 金属元素および酸素を含有してなる可視光応答性のn型半導体を光電極に用いた光電気化学的な反応において、犠牲還元剤を用いずに、その半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、光電極の安定化手法を提供する。【解決手段】 反応溶液中に、半導体の構成元素と同じ金属元素イオンを溶解させておき、且つ、その反応溶液中の金属元素イオンの価数が反応の定常状態で安定な高酸化数とすることにより、可視光応答性の半導体光電極の安定性を向上させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
金属元素および酸素を含有してなる可視光応答性のn型半導体を光電極に用いた光電気化学的な反応において、 反応溶液中に、前記半導体の構成元素と同じ金属元素イオンを溶解させておき、且つ、その反応溶液中の金属元素イオンの価数が反応の定常状態で安定な高酸化数であることを特徴とする可視光応答性の半導体光電極の安定性向上方法。
IPC (4件)：
H01M 14/00 ,  C25B 11/06 ,  C25B 9/00 ,  B01J 35/02
FI (4件)：
H01M14/00 P ,  C25B11/06 B ,  C25B9/00 A ,  B01J35/02 J
Fターム (33件)：
4G169AA02 ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BC25B ,  4G169BC59B ,  4G169BC60B ,  4G169CC31 ,  4G169CD08 ,  4G169DA05 ,  4G169EA07 ,  4G169FB06 ,  4G169HA02 ,  4G169HA14 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HD10 ,  4G169HE20 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021CA05 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  5H032AA07 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC16 ,  5H032EE07 ,  5H032HH02 ,  5H032HH08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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