特許

J-GLOBAL ID：200903085994921810

半導体電極とそれを用いたエネルギ変換システム

発明者： 岩崎 靖和 ,  大井 亮 ,  佐山 和弘 ,  杉原 秀樹 ,  柳田 真利 ,  阿部 竜
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257889
公開番号（公開出願番号）：特開2007-070675
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 光エネルギ変換効率を高め、さらに低コスト化した半導体電極を提供する。また、光エネルギ変換効率を向上させたエネルギ変換システムを提供する。 【解決手段】 半導体材料から形成される半導体層3と、半導体層3上に設けられた金属元素イオンから形成される金属イオン層4と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体材料から形成される半導体層と、前記半導体層上に設けられた金属元素イオンから形成される金属イオン層と、を含むことを特徴とする半導体電極。

IPC (9件)：

C25B 11/06 ,  B01J 35/02 ,  B01J 23/68 ,  B01J 23/648 ,  B01J 23/26 ,  B01J 23/847 ,  C01B 3/04 ,  H01L 21/28 ,  C25B 1/04

FI (9件)：

C25B11/06 B ,  B01J35/02 J ,  B01J23/68 M ,  B01J23/64 102M ,  B01J23/26 M ,  B01J23/84 301M ,  C01B3/04 A ,  H01L21/28 301B ,  C25B1/04

Fターム (42件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA36A ,  4G169BA48A ,  4G169BB06B ,  4G169BC32B ,  4G169BC33B ,  4G169BC58B ,  4G169BC66B ,  4G169BC71B ,  4G169BC72B ,  4G169CC33 ,  4G169DA06 ,  4G169EA11 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB14 ,  4G169FB23 ,  4G169FB30 ,  4G169HA01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC29 ,  4G169HE09 ,  4K011AA20 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K011DA10 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104GG05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-065743
  
• 光触媒性を有する酸化亜鉛皮膜及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-217634   出願人：大阪市, 上村工業株式会社
• 光触媒膜及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252884   出願人：株式会社ブリヂストン
• 可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-280421   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 水分解のための光触媒材料の開発