特許

J-GLOBAL ID：201403005069842981

熱電変換素子、熱電変換素子の製造方法および熱電変換方法

発明者： 桐原 明宏 ,  中村 泰信 ,  萬 伸一 ,  内田 健一 ,  齊藤 英治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012051737
公開番号（公開出願番号）：WO2012-108276
出願日： 2012年01月20日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

本発明の課題は、低コストで生産性が高く、変換効率に優れた熱電変換素子を提供することにある。本発明の熱電変換素子は、基板4と、基板4に設けられ、一定の磁化方向Aを有し、多結晶の磁性絶縁体材料により構成される磁性体膜2と、磁性体膜2に設けられ、スピン軌道相互作用を有する材料を有する電極3を有しており、磁性体膜2に温度勾配を印加すると、磁性体膜2から電極3に向けて流れるスピン流が生成され、電極3における逆スピンホール効果により、磁性体膜2の磁化方向Aと垂直方向に電流Iが生じるように構成した。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板に設けられ、一定の磁化方向を有し、多結晶の磁性絶縁体材料により構成される磁性体膜と、 前記磁性体膜に設けられ、スピン軌道相互作用を有する材料を有する電極と、 を有することを特徴とする熱電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 29/82 ,  H01L 37/00 ,  C01G 49/00

FI (3件)：

H01L29/82 Z ,  H01L37/00 ,  C01G49/00 D

Fターム (13件)：

4G002AA09 ,  4G002AB07 ,  4G002AD02 ,  4G002AE05 ,  5F092AA15 ,  5F092AB10 ,  5F092AC26 ,  5F092AD06 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD16