特許
J-GLOBAL ID：201403005349836731

不活性ガスから生成される準安定ガスを使用する原子層エッチング

発明者：
シング・ハーミート

シング・ハーミート について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-521657
公開番号（公開出願番号）：特表2014-522104
出願日： 2012年07月11日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
【解決手段】原子層をエッチングするための基板処理システムおよび方法が開示される。この方法およびシステムは、チャンバ内に第1のガスを導入するステップであって、上記ガスが、層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、第1のガスの少なくともいくらかを層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、第1のガスをチャンバ内に留めるステップとを含む。チャンバ内で第1のガスが不活性ガスで実質的に置き換えられ、次いで、不活性ガスから準安定ガスが発生され、プラズマ荷電種が層をエッチングするのを実質的に防止しながら、準安定ガスを用いて層をエッチングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体処理チャンバ内で基板上の層をエッチングするための方法であって、 前記チャンバ内に第1のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、 前記第1のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第1のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、 前記チャンバ内の前記第1のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、 前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、 前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと、 を備える、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/768 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101C ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/88 D ,  H05H1/46 L
Fターム (40件)：
5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA05 ,  5F004BA11 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB12 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • エッチングダメージ防止方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071255   出願人：理化学研究所, 石川島播磨重工業株式会社
  • 表面処理方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-036345   出願人：株式会社日立製作所
  • 表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088888   出願人：株式会社荏原製作所
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審査官引用 (12件)
  • エッチングダメージ防止方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071255   出願人：理化学研究所, 石川島播磨重工業株式会社
  • 表面処理方法および装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-036345   出願人：株式会社日立製作所
  • 表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088888   出願人：株式会社荏原製作所
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