特許
J-GLOBAL ID：201403005392656380
低温酸化ケイ素変換
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-506425
特許番号：特許第5600368号
出願日： 2012年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に酸化ケイ素層を形成する方法であって、
非励起前駆体を遠隔プラズマ領域に流し込み、ラジカル前駆体を生成すること、
無プラズマ基板処理領域においてケイ素含有前駆体と前記ラジカル前駆体とを結合すること、及び
前記基板上にケイ素、窒素及び水素含有層を堆積すること
によって、前記ケイ素、窒素及び水素含有層を形成することと、
オゾン含有雰囲気内で前記ケイ素、窒素及び水素含有層を硬化させ、前記ケイ素、窒素及び水素含有層をケイ素及び酸素含有層に変換することと、
前記ケイ素及び酸素含有層を、少なくとも50%相対湿度を有する湿潤雰囲気に暴露し、前記ケイ素及び酸素含有層を酸化ケイ素層に変換することと
を含み、前記基板の温度は、前記ケイ素及び酸素含有層を前記湿潤雰囲気に暴露する前記工程中に25°C以上且つ100°C未満である、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, C23C 16/56 ( 200 6.01)
, C23C 16/50 ( 200 6.01)
H01L 21/316 C
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, C23C 16/50
