特許
J-GLOBAL ID：201403005819535253
基板の粗面化方法、太陽電池の製造方法および太陽電池、太陽電池モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-075155
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207117
特許番号：特許第5554359号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の表面に保護膜を形成する第1の工程と、
前記保護膜に一定間隔で規則的に配列された複数の開口部を形成する第2の工程と、
前記開口部が形成された前記保護膜をマスクとして、前記半導体基板における前記保護膜が形成された面に対して前記開口部を介して異方性エッチングを施して、前記開口部の下部およびその近傍領域に複数の逆ピラミッド型の第1の凹部を形成するとともに隣接する前記第1の凹部間に前記半導体基板の表面の未エッチング領域を形成する第3の工程と、
前記開口部が形成された前記保護膜をマスクとして、前記半導体基板における前記保護膜が形成された面に対して前記開口部を介して等方性エッチングを施して、前記第1の凹部をさらにエッチングして複数の逆ピラミッド型の第2の凹部を前記開口部の下部およびその近傍領域に形成する第4の工程と、
前記保護膜を除去する第5の工程と、
を含むことを特徴とする基板の粗面化方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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