特許

J-GLOBAL ID：201403005948189272

窒化物半導体の製造方法

発明者： 藤倉 序章
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004587
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084918
特許番号：特許第5510467号
出願日： 2012年01月13日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】サファイア基板を、該サファイア基板上に前記サファイア基板の表面を窒化した窒化層をプラズマの照射により形成する温度まで昇温し、前記プラズマ照射により前記窒化層を形成した後、室温まで降温する第1の工程と、 前記窒化層が形成された前記サファイア基板を、不活性ガスの雰囲気中または不活性ガスに10%以下の濃度の水素を混合した雰囲気中で窒化物半導体の成長温度まで昇温する第2の工程と、 前記窒化層の表面に窒化物半導体層を成長させる第3の工程と含むことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化合物半導体薄膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-252840   出願人：住友電気工業株式会社