特許
J-GLOBAL ID：201403006791318533
集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-126896
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038391
特許番号：特許第5543992号
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 前面及び背面を含む半導体基板、
前記半導体基板の前記前面に配置される低k誘電体層、
前記低k誘電体層に配置される非低k誘電体層、
前記非低k誘電体層に配置される金属パッド、
前記半導体基板の背面から延伸し、前記半導体基板、前記非低k誘電体層、及び前記低k誘電体層を貫通し、前記金属パッドの表面を露出する開口、
前記開口の側壁及び底部上に形成され、前記開口の底部では、前記金属パッドの前記露出された表面を部分的に覆う保護層、及び
前記半導体基板の前記前面から前記半導体基板内に延伸し、前記開口がそれを更に貫通する誘電パッドを含む集積回路構造。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 27/14 D
, H01L 21/88 T
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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