特許
J-GLOBAL ID：201403006954765923
フォトニック結晶デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-017646
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150151
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】電流の漏れ成分を抑制し、レーザ駆動の効率を向上させることができるフォトニック結晶デバイスを提供する。【解決手段】フォトニック結晶デバイス10は、空気穴が規則的に配列されたフォトニック結晶と、フォトニック結晶内に線状の欠陥としての溝構造17を有し、活性層16を含む光導波路と、光導波路に異なるキャリアを注入するための電極15,16とを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体スラブに空気穴が規則的に配列されているフォトニック結晶と、
前記フォトニック結晶内の一部に形成されている活性層と、
前記活性層に対して面方向にバイアスを印加するための電極構造と、
バイアス印加方向と異なる方向で、かつ前記活性層の外側領域に有する溝構造と
を含むことを特徴とするフォトニック結晶デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F173AA26
, 5F173AB90
, 5F173AH14
, 5F173AP33
, 5F173AP54
, 5F173AR24
