半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210238
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067763
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】ダイオードの特性の低下を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】IBGT領域は、第1電極の第1面側に設けられた第1導電型のコレクタ層と、コレクタ層の第1電極側と逆側に設けられた第2導電型のドリフト層と、ドリフト層の第1電極側と逆側に設けられた第1導電型のボディ層と、ドリフト層及びボディ層に第1絶縁膜を介して第1電極とコレクタ層との積層方向に延伸して設けられた第2電極とを有する。ダイオード領域は、第1電極の第1面側に設けられた第2導電型のカソード層と、カソード層の第1電極側と逆側に設けられたドリフト層と、ドリフト層の第1電極側と逆側に設けられた第1導電型のアノード層と、ドリフト層及びアノード層に第2絶縁膜を介して積層方向に延伸して設けられた第3電極とを有する。第2電極と第3電極とは所定距離だけ離れている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極の第1面側に設けられた第1導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層の第1電極側と逆側に設けられた第2導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の第1電極側と逆側に設けられた第1導電型のボディ層と、前記ドリフト層及び前記ボディ層に第1絶縁膜を介して前記第1電極と前記コレクタ層との積層方向に延伸して設けられた第2電極と、前記第1絶縁膜に接して且つ前記ボディ層の第1電極側と逆側に設けられた第2導電型のエミッタ層とを有するIGBT領域と、前記第1電極の第1面側に設けられた第2導電型のカソード層と、前記カソード層の第1電極側と逆側に設けられた前記ドリフト層と、前記ドリフト層の第1電極側と逆側に設けられた第1導電型のアノード層と、前記ドリフト層及び前記アノード層に第2絶縁膜を介して前記積層方向に延伸して設けられた第3電極とを有するダイオード領域とを備え、前記第2電極及び前記第3電極は、前記第1電極の第1面に平行な第1方向に延び、前記第2電極と前記第3電極とは前記第1方向に所定距離だけ離れ、前記所定距離は、2μmであり、前記第2電極及び前記第3電極は、前記第1方向に延びると共に前記IGBT領域と前記ダイオード領域の境界で折り返すU字形状を有し、前記第2電極及び前記第3電極は、前記第1方向と直交する第2方向にずれて配置され、前記第2電極と前記第3電極との間の電極間隔が第1間隔以下の場合、前記第2電極と前記第3電極の間がピンチオフする際に前記ダイオード領域における前記アノード層と前記ドリフト層との間に印加される印加電圧は、前記電極間隔が広がるに伴い第1の増加率で大きくなり、前記電極間隔が前記第1間隔より大きい場合、前記印加電圧は、前記電極間隔が広がるに伴い前記第1の増加率よりも大きい第2の増加率で大きくなり、前記電極間隔は、前記第1間隔以下に設定され、前記第2電極及び前記第3電極は、各々、前記第1電極の第1面に平行で且つ前記第1方向と直交する第2方向、及び前記第1方向に第2間隔をもって複数配列され、前記第2電極の第1電極側と逆側に設けられ、複数の前記第2電極を電気的に接続する第1配線と、前記第3電極の第1電極側と逆側に設けられ、複数の前記第3電極を電気的に接続する第2配線とを更に備え、前記第1配線は、前記第1方向に隣り合う前記第2電極の一端と他端を覆うように形成され、前記第2配線は、前記第1方向に隣り合う前記第3電極の一端と他端を覆うように形成され、前記第1配線と前記第2配線は互いに絶縁分離されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (4件)：

H01L29/78 657A , H01L29/78 655G , H01L29/78 653A , H01L29/78 655D

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-182356 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-178250 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-182356 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-178250 出願人：株式会社東芝

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