特許
J-GLOBAL ID:201403010621412567
光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-118718
公開番号(公開出願番号):特開2014-236181
出願日: 2013年06月05日
公開日(公表日): 2014年12月15日
要約:
【課題】キャリアの取り出し効率に優れ、比較的に簡便に製造可能な光電変換素子を提供すること。【解決手段】光電変換素子は、凹部を有する基板と、基板上に設けられた第1電極と、第1電極上に設けられた化合物半導体層と、化合物半導体層上に設けられた第2電極とを備える。化合物半導体層は、凹部内において、第1電極を挟んで基板上に設けられている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
凹部を有する基板と、
前記基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極上に設けられた化合物半導体層と、
前記化合物半導体層上に設けられた第2電極とを備え、
前記化合物半導体層は、前記凹部内において、前記第1電極を挟んで前記基板上に設けられている光電変換素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (7件):
5F151AA07
, 5F151DA01
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA02
, 5F151GA03
, 5F151GA20
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特表平6-511603
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特表平6-511603
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太陽電池およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-095360
出願人:TDK株式会社
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ナノワイヤベースの透明導電体およびその適用
公報種別:公表公報
出願番号:特願2009-532614
出願人:カンブリオステクノロジーズコーポレイション
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-121683
出願人:株式会社荏原製作所
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めっき方法及びめっき装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-104199
出願人:株式会社荏原製作所
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-049567
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
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特表平6-511603
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