特許
J-GLOBAL ID：201403011454233716
多結晶シリコンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-061756
公開番号（公開出願番号）：特開2014-148464
出願日： 2014年03月25日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】シリコン芯線の初期通電時の通電傷の発生を防止し、反応初期段階におけるシリコン芯線の倒壊トラブルを防止すること。【解決手段】2対のシリコン芯線12の間にはバイパス回路17が設けられており、スイッチ16をB端子側に接続することにより、2対のシリコン芯線12を直列に電源15に接続可能である。スイッチ16をA端子側に切り替えることで、1対のシリコン芯線(左側)のみを電源15に接続することもできる。先ず、カーボンヒーター13からの輻射Rにより2対のシリコン芯線を200°C〜400°Cに加熱してする。その後、左側のシリコン芯線12のみに通電する状態(半通電状態)として初期印加電圧を加える。このような通電開始により左側のシリコン芯線は自己発熱してその温度が上昇し抵抗率は低下する。この通電開始の後に、左側のシリコン芯線と右側のシリコン芯線を直列に接続し(全通電状態)、2対のシリコン芯線に通電する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
通電加熱されたn対(nは2以上の整数)の鳥居型のシリコン芯線の表面に原料ガスを供給して多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法であって、
前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として通電用電源からの電力を供給し、
バイパス回路の切り換えにより、前記直列接続状態とされるシリコン芯線の数を1ずつ増やし、
前記n対のシリコン芯線を、第1番目のシリコン芯線からn番目のシリコン芯線に順次通電して予備加熱し、前記n番目のシリコン芯線の通電加熱終了後に前記n対のシリコン芯線をさらに通電加熱して所定温度とし、原料ガスを供給して前記n対のシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させる、多結晶シリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072GG05
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072NN17
, 4G072UU01
, 4G072UU02
